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IPA65R280C6	文件：2.11023 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6280；Package：PG-TO220FullPAK；650V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter 文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB65R280C6	文件：2.11023 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6280；Package：PG-TO263；650V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter 文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI65R280C6	文件：2.11023 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6280；Package：PG-TO262；650V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter 文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP65R280C6	文件：2.11023 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6280；Package：PG-TO220；650V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter 文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW65R280C6	文件：2.11023 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6280；Package：PG-TO247；650V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter 文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
65C6280	文件：2.11023 Mbytes Page：19 Pages	650V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter 文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
65C6280
功能描述：
MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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