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IPA65R380C6	文件：1.95871 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6380；Package：PG-TO220FullPAK；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The result 文件：1.95871 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB65R380C6	文件：1.95871 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6380；Package：PG-TO263；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The result 文件：1.95871 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD65R380C6	文件：1.95871 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6380；Package：PG-TO252；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The result 文件：1.95871 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI65R380C6	文件：1.95871 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6380；Package：PG-TO262；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The result 文件：1.95871 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP65R380C6	文件：1.95871 Mbytes Page：19 Pages	丝印：65C6380；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The result 文件：1.95871 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
65C6380	文件：1.95871 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The result 文件：1.95871 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
65C6380
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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