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65D

文件：538.64 Kbytes

Page：5 Pages

型号：LNB8462DT0AG；Package：DFN3333-8A；60V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

65D

文件：353.36 Kbytes

Page：6 Pages

型号：NDS0605；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号：

    65D

  • 功能描述：

    MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多65D供应商 更新时间2025-7-28 20:12:00

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