丝印：65C6280；Package：PG-TO220；650V CoolMOS C6 Power Transistor

Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter

文件：2.11023 Mbytes 页数：19 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

文件：338.53 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。\n • 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3\n• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3 • 易于控制开关行为\n• 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 使用简便\n• 与 C3 相比，具有更高的轻载效率\n• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性\n• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高\n• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低\n\n\n优势:\n \n • 提升功率密度\n• 提升可靠性\n• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用\n• 提高轻载效率\n• 提高在硬开关应用中的效率\n• 改进了易用性\n• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引;

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N-Channel MOSFET Transistor

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650V CoolMOS C6 Power Transistor

Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter

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650V CoolMOS C6 Power Transistor

Features • Extremely low losses due to very FOM Rdso *Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications: Adapter

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