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STL40DN3LLH5

丝印:40DN3LLH5;Package:PowerFLAT5x6;Dual N-channel 30 V, 0.016 Ω typ., 11 A STripFET™ V Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ V technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FOM that is among the best in its class. Features ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■

文件:882.56 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    40DN3LLH5

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多40DN3LLH5供应商 更新时间2025-9-15 15:06:00