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2STA1962	文件：180.3 Kbytes Page：9 Pages	High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Description This device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = -230 V ■ Complementary to 2STC5242 ■ Fast-switching speed ■ T 文件：180.3 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STA1962	文件：300 bytes Page：1 Pages	High power PNP epitaxial planar bipolar transistor	ST 意法半导体	ST
2STA1962	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 230V 15A TO3P	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STA1962
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS PNP 230V 15A TO3P

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