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2SK2958	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2958L	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958L-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2958S	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958STL-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2959	文件：48.23 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：48.23 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2959	文件：83.1 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：83.1 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2959-E	文件：83.1 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：83.1 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2952	文件：296.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (N-ch 500V＜VDSS≦700V)
Package name(Toshiba)：
TO-3P(N)IS
Recommended Product 1：
TK12J60W(Different package and similar characteristics)
Recommended Product 2：
TK10A60W(Different package and similar characteristics)
Recommended Product 3：
TK380A60Y(Different package and similar characteristics)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SK295	reNESAS	24+		30000		询价
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