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2SK1070PICTL-E	文件：58.28 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel Junction FET Application • Low frequency / High frequency amplifier 文件：58.28 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1070PIDTL-E	文件：58.28 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel Junction FET Application • Low frequency / High frequency amplifier 文件：58.28 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1070PIETL-E	文件：58.28 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel Junction FET Application • Low frequency / High frequency amplifier 文件：58.28 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1078	文件：343.5 Kbytes Page：5 Pages	丝印：Z3；Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Features • 4-Volt Gate Drive • Low Drain-Source ON Resistance - RDS(ON) = 0.42 (Typ.) • High Forward Transfer Admittance - Yts \| = 0.75S (Typ.) • Low Leakage Current - lGSS=±3µA (Max.) @ VGs = ±16V - lDSS = 100μA (Max.) @ Vos = 60V • Enhancement-Mode - Vth = -0.8 - -2.0V @ 文件：343.5 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1079	文件：283.42 Kbytes Page：5 Pages	丝印：Z4；Package：2-5K1B；HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS. RELAY DRIVE, MOTOR DRIVE AND DC-DC CONVERTER APPLICATIONS. Features -4-Volt Cate Drive -Low Drain-Source ON Resistance : RDS (ON) = 0.952 (Typ.) -High Forward Transfer Admittance : Yfs=0.65S (Typ.) -Low Leakage Current : IGSS=±3μA (Max.) @VGS=±16V : IDSS=100μA (Max.) @VDS=100V -Enhancement-Mode : Vth=0.8-2.0V @VDS=10V 文件：283.42 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1081-01	文件：133 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET FUJI POWER MOS-FET (F-II SERIES) Features 1. High Speed switching 2. Low on-resistance 3. No secondary breakdown 4. Low driving power 5. High voltage Applications 1. Switching regulators 2. UPS 3. DC-DC converters 4. General purpose power amplifier 文件：133 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1081-01	文件：163.72 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 文件：163.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SK1082	文件：1.24679 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel Silicon Power MOS-FET 文件：1.24679 Mbytes 页数：3 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1082-01	文件：1.24679 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel Silicon Power MOS-FET 文件：1.24679 Mbytes 页数：3 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1083	文件：186.1 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET 60V 0,22Ω 8A 20W >Features - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance >Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters 文件：186.1 Kbytes 页数：2 Pages	Fuji 富士通	Fuji

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技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
50000
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
7
Package Type：
MM/SC-59
Vgs (off) (V) max.：
2
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
7.0
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
0.2
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
50
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
0.1

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更多2SK供应商更新时间2025-12-25 17:08:00

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