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2SK1008	文件：372.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 4.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1008-01	文件：130.55 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features ● High speed switching ● Low on-resistance ● No secondary breakdown ● Low driving power ● High voltage ● VGSS = ±30V Guarantee ● Avalanche - proof Applications ● Switching regulators ● UPS ● DC-DC converters ● General purpose power amplifier 文件：130.55 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1009	文件：372.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 7.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 450V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1010	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	Drain Current ?밒D=6A@ TC=25C DESCRIPTION ·Drain Current –ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching 文件：66.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1010-01	文件：168.12 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET * High speed switching * Low on-resistance * No secondary breakdown * Low driving power * High voltage 文件：168.12 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1013-01	文件：134.16 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：134.16 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1014	文件：207.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching 文件：207.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1014-01	文件：134.33 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features ● High speed switching ● Low on-resistance ● No secondary breakdown ● Low driving power ● High voltage ● VGSS = ±30V Guarantee ● Avalanche - proof Applications ● Switching ● UPS ● DC-DC converters ● General purpose power amplifier 文件：134.33 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1016	文件：1.6245 Mbytes Page：16 Pages	POWER MOSFET 文件：1.6245 Mbytes 页数：16 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK1016	文件：69.03 Kbytes Page：2 Pages	Drain Current ?밒D=15A@ TC=25C DESCRIPTION • Drain Current –ID=15A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS • high voltage, high speed power switching 文件：69.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
50000
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
7
Package Type：
MM/SC-59
Vgs (off) (V) max.：
2
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
7.0
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
0.2
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
50
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
0.1

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更多2SK供应商更新时间2025-12-26 9:05:00

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