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2SD2537T100V

MediumPowerTransistor(25V,1.2A)

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VEBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage.(Max.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=500mA/10mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

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SOT-89
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2022
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更多2SD2537T100VIC供应商 更新时间2024-6-7 13:47:00