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2SK2607	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK2607	文件：303.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2607	文件：290.17 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK2607	文件：720.99 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Moter Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK2607	文件：426.61 Kbytes Page：6 Pages	Chopper Regulator, DC−DC Converter and Moter Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK2607_06	文件：720.99 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Moter Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SK2607_09	文件：426.61 Kbytes Page：6 Pages	Chopper Regulator, DC−DC Converter and Moter Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK2607
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 9A TO-3PN
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多2SK2607供应商更新时间2024-4-29 9:44:00

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