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2SD2537T100V

Medium Power Transistor (25V, 1.2A)

Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA)

文件:85.44 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2537T100V

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 1.2A MPT3

ROHM

罗姆

2SD315AI-33

模块

CONCEPT

2SD596-T1B

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SD667L-C

TO-92NL

UTC/友顺

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2537T100V

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 10mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    820 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 1.2A MPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD2537T100V供应商 更新时间2025-12-10 15:10:00