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2SD2110	文件：268.79 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A •HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=2A,VCE=3V APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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制造商&上传企业

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2SD2110

文件：268.79 Kbytes

Page：2 Pages

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A •HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=2A,VCE=3V APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多2SD2110功率三极管供应商更新时间2024-9-25 17:24:00

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