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2SD2012

Marking:2SD2012;Package:TO-220-3L;TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2012

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A TO220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD2012供应商 更新时间2025-7-12 14:00:00