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2SD1761	文件：279.59 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarPNPSiliconTransistor @Features 1)Largecollectorpowerdissipation: Po=30W(Te=25°C) 2)WideASO. 3)Complementarypairwith25D1761. 4)Easilyinsulatedfromtheheatdis- sipationplateasthefinismolded.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1761	文件：80.16 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SB1187 •Widesafeoperatingarea APPLICATIONS •Forlowfrequencypoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1761	文件：111.16 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SB1187 •Widesafeoperatingarea APPLICATIONS •Forlowfrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1761	文件：63.79 Kbytes Page：1 Pages	TRIPLEDIFFUSEDPLANARNPNSILICONTRANSISTOR LowFeq.PowerAmp. TripleDiffusedPlanarNPNSiliconTransistor Features 1)Lowcollectorsaturationvoltage:Vce(sat)=0.3V(Typ.),IC/IB=2A/0.2A 2)ExcellentcurrentcharacteristicsofDCcurrentgain. 3)Largecollectorpowerdissipation:PC=30W(TC=25℃) 4)Complementarypairwith2SB1187	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1761	文件：1.74428 Mbytes Page：3 Pages	TO-220FPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •LowCollectorSaturationVoltage:Vce(sat)=0.3V(Typ.),IC/IB=2A/0.2A •ExcellentCurrentCharacteristicsofDCCurrentGain. •LargeCollectorPowerDissipation:PC=30W(TC=25℃) •ComplementaryPairwith2SB1187	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1761	文件：112.77 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1761	文件：261.35 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN

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