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2SD1788	文件：505.09 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(짹 4A NPN) Darlington Transistor ± 4A NPN 文件：505.09 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1789	文件：463.34 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor(짹 4A NPN) Darlington Transistor 文件：463.34 Kbytes 页数：8 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1789	文件：130.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With ITO-220 package • Switching power transistor • DARLINGTON 文件：130.09 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1789	文件：84.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With ITO-220 package • Switching power transistor 文件：84.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1789	文件：224.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With ITO-220 package • Switching power transistor • DARLINGTON 文件：224.29 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1790	文件：273.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage • High DC Current Gain • High Reliability • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：273.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1790	文件：463.23 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor(짹 4A NPN) Darlington Transistor ± 4A NPN 文件：463.23 Kbytes 页数：8 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1791	文件：444.23 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) Darlington Transistor 文件：444.23 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1791	文件：242.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V (Min.) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：242.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1792	文件：442.16 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) Storage Temperature Tstg -55～+150 ℃ Junction Temperature Tj +150 ℃ Collector to Base Voltage VCBO 200 V Collector to Emitter Voltage VCEO 200 V 文件：442.16 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN

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晶体管资料

型号：
2SD1779
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI.UEB_HI.BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2665,2SD1207,2SD1265,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>800
图片代号：
A-70
vtest：
60
htest：
999900
atest：
2
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
60
hFE min.：
800
hFE max.：
3200
Pc (W)：
1
Production Status：
Non-promotion

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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