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2SD1640	文件：153.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planar darlington type AF output amplifier For low-frequency output amplification ■Features •High forward current transfer ratio hFE •Large peak collector current ICP •High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 文件：153.11 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1641	文件：107.99 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH DC CURRNT GAIN,HIGH POWER AMPLIFIER TV POWER SOURCE OUTPUT Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type High DC Current Gain (hFE), High Power Amplifier TV Power Source Output Features ● Wide area of safety operation (ASO) ● Protective avalanche diode built-in ● High DC current gain (hFE) ● Good linearity of DC current gain (hFE) 文件：107.99 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1646	文件：245.47 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 1A • Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：245.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1646	文件：48.64 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Features 1) Darlington connection provides high DC current gain (hFE). 2) Damper diode is incorporated. 3) Built-in resistance across base and emitter. 文件：48.64 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1646	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1647	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1647	文件：52.52 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：52.52 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1649	文件：136.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·For color TV horizontal deflection output applications 文件：136.82 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1649	文件：140.34 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·For color TV horizontal deflection output applications 文件：140.34 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1649	文件：762.66 Kbytes Page：9 Pages	COLOR TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATIONS(WITH DAMPER DIODE) Color TV Horizontal Deflection Output Applications(with Damper Diode) 文件：762.66 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶体管资料

型号：
2SD1640
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3621,2SD1638,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>4000
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD164
功能描述：
TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD164供应商更新时间2025-12-24 19:58:00

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