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2SD1692	文件：145.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1692 is a darlington transistor built-in dumper diode at E-C. It is suitable for use to operate from IC without predriver, such as hammer driver. 文件：145.97 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1692	文件：250.37 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FEATURES • High DC current gain due to Darlington connection • Large current capacity and low VCE(sat) • Large power dissipation TO-126 type power transistor • Complementary transistor: 2SB1149 文件：250.37 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1692	文件：253.85 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 100V(min.) ·DC Current Gain : hFE= 2000(Min.) @ IC= 1.5 A ·Complement to Type 2SB1149 APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier applications. 文件：253.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1692	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD1692
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4342,2SD1749,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-21
vtest：
150
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
150
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
8
IC (A) @25 °C：
3
VCE(sat) (V) max.：
1.2
hFE min.：
2000
hFE max.：
20000
Pc (W)：
15
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL

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