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2SD1713	文件：250.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SB1158 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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2SD1713

文件：250.49 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SB1158 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

晶体管资料

型号：
2SD1713
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245D,2SC3181,2SD896,2SD1046,2SD1288,2SD2064,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
120
htest：
20000000
atest：
6
wtest：
70

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	2SD1713			TOP-3FA	10000	全新	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SD1713	MAT	23+	原厂原装	3000	全新原装	询价
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更多2SD1713供应商更新时间2024-4-27 16:00:00

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