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2SD1779	文件：137.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1779 is high hFE transistor. It is suitable for use to operate from IC without predriver, such as hammer or motor driver. 文件：137.18 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1779	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD1782KT146Q	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-346	ROHM 罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM
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2SD1803	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO251	SANYO 三洋上传：深圳市恒达亿科技有限公司	SANYO

晶体管资料

型号：
2SD1779
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI.UEB_HI.BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2665,2SD1207,2SD1265,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>800
图片代号：
A-70
vtest：
60
htest：
999900
atest：
2
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
60
hFE min.：
800
hFE max.：
3200
Pc (W)：
1
Production Status：
Non-promotion

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更多2SD1779供应商更新时间2026-4-17 16:30:00

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