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2SD1756	文件：249.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 170V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1500(Min) @IC= 5A • Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for high voltage high current amplifier applications. 文件：249.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1760TLQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-2L	ROHM 罗姆上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	ROHM
2SD1766	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	GTM 勤益投资控股上传：深圳市粤科源兴科技有限公司	GTM
2SD1782KT146Q	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-346	ROHM 罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM
2SD1782KT146R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆

晶体管资料

型号：
2SD1756
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1608,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-10
vtest：
200
htest：
999900
atest：
10
wtest：
40

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更多2SD1756供应商更新时间2026-4-21 16:01:00

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