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2SD1820A	文件：62.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SD1820 and 2SD1820A ■ Features • Large collector current IC • S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：62.38 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1820A	文件：39.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB1219 and 2SB1219A ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：39.46 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1820A	文件：46.48 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). 文件：46.48 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1820A_15	文件：993.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：993.54 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1820A-Q	文件：993.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：993.54 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1820A-R	文件：993.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：993.54 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1820A-S	文件：993.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：993.54 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1820A0L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.5A SMINI3	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1820ARL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.5A SMINI3	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SD1820A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4118,2SD1949,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD1820A
功能描述：
TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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