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2SD1760	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TL；Package：CPT3；Power Transistor 50V, 3A Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：77.01 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：153.28 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：275.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1760	文件：268.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：268.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1760-251	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：275.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1760-252	文件：268.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：268.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1760F5	文件：175.71 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistors Low collector saturation voltage: Voeea=-0.5V (Typj (lc/lB 一一 2A/ 一 0.2AJ Complementary pair with 2SD1760F5. 文件：175.71 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760TLQ	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760TLR	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
32
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
1.0
PC (W)：
0.5
HFE：
82-180
@IC (mA)：
500
@VCE (V)：
3.0
ICBO：
1.0 µA
IEBO：
1.0 µA
VCE(sat) (V)：
0.8
VBE(sat) (V)：
FT (MHz)：
100
Package Qty：
Tape
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD1766-P	ROHM	24+	SOT-89	7200	新进库存/原装	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SD1766-P	NK/南科功率	2025+	SOT-89	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SD1766-P	MCC/美微科	2511	SOT-89	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SD1766-P	MCC/美微科	22+	SOT-89	20000	只做原装	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	2SD1766Q	Sipusemi	26+	原厂原封装	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD1766Q	SIPUSEMI	23+	SOT-89	1000		询价
深圳市博中泰实业有限公司	2SD1766Q	SIPUSEMI	24+	SOT-89	60000		询价
富凯科技(深圳）有限公司	2SD1766Q	SIPUSEMI	24+	SOT-89	9000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
上海金庆电子技术有限公司	2SD1766Q	SIPUSEMI	20+P	SOT-89	1005	全新发货1-2天	询价
浙江永芯科技有限公司	2SD1766-Q	YANGJIE	24+	SOT-89	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价

更多2SD176供应商更新时间2026-3-10 16:30:00

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