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2SD1760TLR

Power Transistor (50V, 3A)

Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

文件:81.97 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SD1760TLR

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 3A CPT3

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

2SD1760

Power Transistor (50V, 3A)

文件:176.72 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1760

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

文件:163.81 Kbytes 页数:3 Pages

SECOS

喜可士

2SD1760

Power Transistor (50V, 3A)

Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

文件:153.28 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1760TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 3A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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SMD
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更多2SD1760TLR供应商 更新时间2025-10-11 16:10:00