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2SD1563	文件：250.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V (Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB1086 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：250.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1563A	文件：105.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB1086A ·Wide area of safe operation ·High breakdown voltage :BVCEO=160V(min) APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：105.07 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1563A	文件：47.81 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor Low Freq. Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor 文件：47.81 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1563A	文件：138.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB1086A ·Wide area of safe operation ·High breakdown voltage :BVCEO=160V(min) APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：138.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1563A	文件：106.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：106.66 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1563A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Transistor	ROHM 罗姆	ROHM

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