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2SD1601	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A • Complement to Type 2SB1101 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1602	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A • Complement to Type 2SB1102 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1603	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Complement to Type 2SB1103 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1603	文件：403.44 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 文件：403.44 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1604	文件：403.44 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 文件：403.44 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1604	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A • Complement to Type 2SB1104 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1605	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 1.5A • Complement to Type 2SB1105 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：250.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1606	文件：35.45 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：35.45 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1606	文件：150.2 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：150.2 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1608	文件：43.98 Kbytes Page：1 Pages	Medium Speed Power Switching Si NPN Triple Diffused Planar Darlington Medium Speed Power Switching Complementary Pair with 2SB1108 Features • High hFE • High speed switching • Full Pack package for simplified mounting only by a screw, requires no insulator. 文件：43.98 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2SD1606
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT21,BDW63D,2SD830,2SD1147,2SD1196,2SD1336A,2SD1888,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-44
vtest：
120
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD160供应商更新时间2026-2-9 16:00:00

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