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2SD1630	文件：125.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1630isadarlingtontransistorbuilt-inazenerdiodeatB-CandadumperdiodeatE-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerdriver. FEATURES ●HighDCCurrentGain. ●Built-inaZenerDiodeatB-CandaDumperDiodeatE-C ●LowCol	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SD1630	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas

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2SD1630

文件：125.37 Kbytes

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NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1630isadarlingtontransistorbuilt-inazenerdiodeatB-CandadumperdiodeatE-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerdriver. FEATURES ●HighDCCurrentGain. ●Built-inaZenerDiodeatB-CandaDumperDiodeatE-C ●LowCol

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

2SD1630

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Transistor-Bipolar Power Transistors;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

Renesas

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
1
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
10
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1630供应商更新时间2025-7-28 11:50:00

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