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2SD1608	文件：244.12 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for medium speed power switching applications. 文件：244.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1609	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 文件：32.509 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1600	文件：259.04 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：259.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1606	文件：137.44 Kbytes Page：2 Pages	High DC Current Gain 文件：137.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1607	文件：258.98 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：258.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1609	文件：85.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：85.72 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1609	文件：263.51 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：263.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1609	文件：941.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. 文件：941.97 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD1609_15	文件：89.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：89.67 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1606	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Switching/Bipolar	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD1606
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT21,BDW63D,2SD830,2SD1147,2SD1196,2SD1336A,2SD1888,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-44
vtest：
120
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

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更多2SD160供应商更新时间2026-2-9 16:00:00

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