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2SD1408

SILICONNPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SD1408

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·ComplementtoType2SB1017 APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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