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2SD110	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighPowerDissipation-:PC=100W@TC=25℃ ·HighCurrentCapability-:IC=10A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,powerswitching,DC-DC converterandregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1101	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1101	文件：35.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ●LowFrequencyamplifier.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1101	文件：24.17 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1101ACTL-E	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1105	文件：258.54 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044->SiNPNDiffusedjunctionMesaDarlington 2SD1091->SiNPNTripleDiffusedPlanarDarlington 2SD1105->SiNPNDiffusedjunctionMesa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
2SD1105	文件：78.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·WideAreaofSafeOperation ·HighPowerandHighReliability APPLICATIONS ·DesignedforhighpowerAFamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD111	文件：224.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighPowerDissipation- :PC=100W@TC=25℃ •HighCurrentCapability- :IC=10A APPLICATIONS •Designedforpoweramplifier,powerswitching,DC-DC converterandregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1110	文件：116.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SB849 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinlowfrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1110	文件：245.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SB849 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
20
IC (A) @25 °C：
0.7
hFE最小值：
85
hFE最大值：
240
Pc (W)：
0.15
封装类型：
MPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD11供应商更新时间2025-7-29 14:00:00

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