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2SD110	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Dissipation-: PC= 100W@TC= 25℃ ·High Current Capability-: IC= 10A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. 文件：81.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1101	文件：24.17 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831 文件：24.17 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1101	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831 文件：172.17 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1101	文件：35.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Low Frequency amplifier. 文件：35.8 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1101ACTL-E	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831 文件：172.17 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1105	文件：258.54 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044 -> Si NPN Diffused junction Mesa Darlington 2SD1091 -> Si NPN Triple Diffused Planar Darlington 2SD1105 -> Si NPN Diffused junction Mesa 文件：258.54 Kbytes 页数：6 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1105	文件：78.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min) ·Wide Area of Safe Operation ·High Power and High Reliability APPLICATIONS ·Designed for high power AF amplifier applications. 文件：78.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD111	文件：224.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : PC= 100W@TC= 25℃ • High Current Capability- : IC = 10A APPLICATIONS • Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. 文件：224.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1110	文件：245.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SB849 APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：245.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1110	文件：116.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SB849 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：116.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SD1113
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
INT.Z_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD971,2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1089,2SD1162,2SD1307,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>500
图片代号：
B-10
vtest：
300
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD11供应商更新时间2026-4-17 16:01:00

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