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2SD110	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Dissipation-: PC= 100W@TC= 25℃ ·High Current Capability-: IC= 10A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. 文件：81.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1101	文件：35.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Low Frequency amplifier. 文件：35.8 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1101	文件：24.17 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831 文件：24.17 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1101	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831 文件：172.17 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1101ACTL-E	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831 文件：172.17 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1105	文件：258.54 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044 -> Si NPN Diffused junction Mesa Darlington 2SD1091 -> Si NPN Triple Diffused Planar Darlington 2SD1105 -> Si NPN Diffused junction Mesa 文件：258.54 Kbytes 页数：6 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1105	文件：78.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min) ·Wide Area of Safe Operation ·High Power and High Reliability APPLICATIONS ·Designed for high power AF amplifier applications. 文件：78.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1101	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
20
IC (A) @25 °C：
0.7
hFE最小值：
85
hFE最大值：
240
Pc (W)：
0.15
封装类型：
MPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD110		24+	TO-3	10000	全新	询价
深圳市昊创电子有限公司	2SD110	TOSHIBA/东芝	专业铁帽	TO-3	500	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD1109C	HITACHI/日立	23+	TO126	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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更多2SD110供应商更新时间2025-10-7 16:01:00

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