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2SD1105	文件：258.54 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044 -> Si NPN Diffused junction Mesa Darlington 2SD1091 -> Si NPN Triple Diffused Planar Darlington 2SD1105 -> Si NPN Diffused junction Mesa 文件：258.54 Kbytes 页数：6 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1105	文件：78.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min) ·Wide Area of Safe Operation ·High Power and High Reliability APPLICATIONS ·Designed for high power AF amplifier applications. 文件：78.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1445A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	松下上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	松下
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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晶体管资料

型号：
2SD1105
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDW10,2N5630,2N5631,SC1584,2SD104,2SD752,3DD172B,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
120
htest：
1000000
atest：
15
wtest：
200

详细参数

型号：
2SD1105
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1105供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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