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2SD1119	文件：38.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply. ● Mini type package, allowing downsizing of the equipment an 文件：38.62 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1119	文件：166.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type FEATURES ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply. 文件：166.33 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SD1119	文件：516.409 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：516.409 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD1119	文件：957.19 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：957.19 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1119	文件：50.01 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the lowvoltage power supply. 文件：50.01 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1119	文件：1.52289 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TQ；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：1.52289 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1119	文件：755.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Low VCE(sat),High performance at low supply voltage. Applications AF Power amplifier. 文件：755.65 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD1119	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：164.16 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SD1119	文件：300 bytes Page：1 Pages	普通三极管	FOSAN 富信半导体	FOSAN
2SD1119	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
3
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
25
VEBO(V)：
7
hFEMin：
230
hFEMax：
600
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
3
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-89

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