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2SD111	文件：224.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Power Dissipation- : PC= 100W@TC= 25℃ • High Current Capability- : IC = 10A APPLICATIONS • Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. 文件：224.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1110	文件：245.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SB849 APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：245.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1110	文件：116.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SB849 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：116.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1111	文件：67.01 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications · High DC Current Gain (5000 or greater). · Large current capacity and wide ASO. · Low saturation voltage (V CE(sat)=0.8V typ). 文件：67.01 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1113	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：32.43 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1113	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：144.94 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1113	文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 500(Min) @IC= 4A APPLICATIONS • Igniter 文件：190.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1113K	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：144.94 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1113K	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：32.43 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1115	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage switching, igniter 文件：32.91 Kbytes 页数：4 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SD111
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD130,BD317,BDW21C,BDX0,BDY20,BDY39,BDY53,2N3055,2N5632,2N5633,3DD70D,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
1000000
atest：
10
wtest：
100

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD111供应商更新时间2026-4-17 16:01:00

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