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2SD111	文件：224.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighPowerDissipation- :PC=100W@TC=25℃ •HighCurrentCapability- :IC=10A APPLICATIONS •Designedforpoweramplifier,powerswitching,DC-DC converterandregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1110	文件：116.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SB849 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinlowfrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1110	文件：245.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SB849 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1111	文件：67.01 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications ·HighDCCurrentGain(5000orgreater). ·LargecurrentcapacityandwideASO. ·Lowsaturationvoltage(VCE(sat)=0.8Vtyp).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1113	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1113	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1113	文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=300V(Min) •HighDCCurrentGain :hFE=500(Min)@IC=4A APPLICATIONS •Igniter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1113K	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1113K	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1115	文件：248.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=300V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=500(Min)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageswitching,igniterapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1115	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Highvoltageswitching,igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1115K	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Highvoltageswitching,igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1115K	文件：57.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forhighvoltageswitchingandignitorapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1115K	文件：97.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forhighvoltageswitchingandignitorapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1117	文件：248.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=40V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.2V(Max)@IC=5A •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SB850 APPLICATIONS •Designedforaudioamplifier,seriesregulatorsandgeneralpurposepower	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1118	文件：250.05 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=300V(Min.)@IC=1A ·LowCollectorSaturationVoltage ·HighReliability APPLICATIONS ·Switchingregulators ·DC-DCconverter ·Solidsaterelay ·Generalpurposepoweram	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1118	文件：100.4 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING Features ●Highspeedswitching ●HighD.Ccurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highreliability Applications ●Switchingregulators ●DC-DCconverter ●Solidstaterelay ●Generalpurposepoweramplifier	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
2SD1119	文件：38.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0 SiliconNPNepitaxialplanertype Forlow-frequencypoweramplification ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow-voltagepowersupply. ●Minitypepackage,allowingdownsizingoftheequipmentan	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD1119	文件：50.01 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywith thelowvoltagepowersupply.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1119	文件：516.409 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

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晶体管资料

型号：
2SD111
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD130,BD317,BDW21C,BDX0,BDY20,BDY39,BDY53,2N3055,2N5632,2N5633,3DD70D,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
1000000
atest：
10
wtest：
100

详细参数

型号：
2SD111
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 100V 10A 100W BEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD111供应商更新时间2024-4-29 13:10:00

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