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2SD1119-Q	文件：391.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistors 文件：391.17 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1119-Q-HF	文件：408.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistors 文件：408.63 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1119-R	文件：391.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistors 文件：391.17 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1119-R-HF	文件：408.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistors 文件：408.63 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1113K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application\n Igniter	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD1113	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 300V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SD1118	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING	FUJI 富士通	FUJI
2SD11190RL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F1	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1119GRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F2	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SD111
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD130,BD317,BDW21C,BDX0,BDY20,BDY39,BDY53,2N3055,2N5632,2N5633,3DD70D,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
1000000
atest：
10
wtest：
100

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

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