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2SD1119	文件：1.52289 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TQ；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：1.52289 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1119	文件：755.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Low VCE(sat),High performance at low supply voltage. Applications AF Power amplifier. 文件：755.65 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD1119	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：164.16 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SD1119	文件：957.19 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：957.19 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1119	文件：50.01 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the lowvoltage power supply. 文件：50.01 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1110	文件：136.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：136.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1114	文件：329.85 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：329.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1115K	文件：99.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：99.33 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1119_15	文件：391.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistors 文件：391.17 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1119-HF_15	文件：408.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistors 文件：408.63 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SD111
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD130,BD317,BDW21C,BDX0,BDY20,BDY39,BDY53,2N3055,2N5632,2N5633,3DD70D,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
1000000
atest：
10
wtest：
100

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

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更多2SD111供应商更新时间2026-4-17 16:01:00

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