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2SD1170	文件：244.99 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 2000( Min.) @(IC= 3A, VCE= 2V) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 3A, IB= 3mA) B APPLICATIONS • Driver for solenoid,motor and general purpose applications. 文件：244.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1445A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	松下上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	松下
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SD1616AG-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SD1616AG-G-AB3-R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89(SOT-89-3)	UTC(友顺) 上传：深圳广友电子有限公司	UTC(友顺)

晶体管资料

型号：
2SD1170
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD768,2SD768K,2SD921,2SD923,2SD1044A,2SD1090,2SD1210,2SD1230,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
β=4000
图片代号：
B-45
vtest：
120
htest：
999900
atest：
6
wtest：
70

详细参数

型号：
2SD1170
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR MT-100 120V 6A 70W BCE

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