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2SD1180	文件：127.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Designed for use in audio and radio frequency power amplifiers 文件：127.39 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1180	文件：99.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Designed for use in audio and radio frequency power amplifiers 文件：99.22 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1185	文件：116.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：116.41 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1185	文件：126.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：126.74 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1185	文件：56.15 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING 文件：56.15 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1186	文件：56.15 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING 文件：56.15 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1186	文件：126.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：126.74 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1186	文件：116.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：116.65 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1187	文件：210.55 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS) HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS 文件：210.55 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1187	文件：256.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 80V(Min) · Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.5V(Max.) @ IC= 6A · High Power Dissipation APPLICATIONS · High power switching applications · DC-DC converter and DC-AC inverter applications 文件：256.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1187
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1705,2SD1840,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
80

技术参数

VCBO (V)：
100
VCEO (V)：
80
PD (W)：
80
PACKAGE：
TO-3P
NPN：
2SD1187
HFE (Min/Max)：
70/240
IC/VCE (A/V)：
1.0/1.0
VCE(SAT) (V)：
0.5
IC / IB (A/mA)：
6.0/300

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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