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2SD1110	文件：116.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SB849 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：116.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1111	文件：67.01 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications · High DC Current Gain (5000 or greater). · Large current capacity and wide ASO. · Low saturation voltage (V CE(sat)=0.8V typ). 文件：67.01 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1113	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：144.94 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1113	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：32.43 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1113	文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 500(Min) @IC= 4A APPLICATIONS • Igniter 文件：190.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1113K	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：32.43 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1113K	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter 文件：144.94 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1115	文件：248.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 300V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 500(Min)@IC= 2A APPLICATIONS ·Designed for high voltage switching, igniter applications. 文件：248.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1115	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage switching, igniter 文件：32.91 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1115K	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage switching, igniter 文件：32.91 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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晶体管资料

型号：
2SD1138
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD239F,2SC2336A,2SC2660,2SD610,2SD760,2SD1562A,3DA2481,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
200
htest：
999900
atest：
2
wtest：
30

技术参数

PCM(W)：
1.8
IC(A)：
2
VCBO(V)：
200
VCEO(V)：
150
VEBO(V)：
6
hFEMin：
60
hFEMax：
200
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
0.05
VCE(sat)(V)：
3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-220-3L

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更多2SD11供应商更新时间2025-12-23 8:58:00

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