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2SC5226A-4-TL-E

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=12dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

2SC5226A-4-TL-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=12dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2SC5226A-4-TL-E

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:SC-70,SOT-323 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5226A-4-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 20mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70 / MCP3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SC5226A-4-TL-E供应商 更新时间2024-5-16 16:49:00