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2SC5200	文件：424.28 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：231.01 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：377.77 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC5200	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：281.46 Kbytes Page：2 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATION •Complementaryto2SA1943 •Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5200	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：229.34 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS •Highcurrentswitching •Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

产品属性

产品编号：
2SC5200OTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264-3
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO264-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SC5200OTU	onsemi(安森美)	24+	TO-264-3	1171	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC5200OTU	onsemi	24+	TO-264-3,TO-264AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC5200OTU	Fairchild	24+	TO-264	450		询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	2SC5200OTU	FAIRCHILD	25+23+	TO264	10461	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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更多2SC5200O供应商更新时间2025-5-24 23:01:00

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