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2SC5181-T1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=10.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •UltraSuperMini-Moldpackage

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SC5181-T1

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINULTRASUPERMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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