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2SC5095-R(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095	文件：344.39 Kbytes Page：5 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTYPE(VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS) VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.8dB,\|S21e\|2=7.5dB(f=2GHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5095	文件：459.07 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.8dB,\|S21e\|2=7.5dB(f=2GHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5095	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5095	文件：256.56 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNLowNoiseBipolarTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseFigure NF=1.4dBTYP.@VCE=6V,IC=3mA,f=1GHz ·HighGain ︱S21︱2=13dBTYP.@VCE=6V,IC=7mA,f=1GHz APPLICATIONS ·Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5095-O	文件：459.07 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.8dB,\|S21e\|2=7.5dB(f=2GHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC5095-R(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
10GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 2GHz
增益：
13dB ~ 7.5dB
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 7mA，6V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15mA
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70

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