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2SC3649	文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	High-VoltageSwitchingApplications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3649	文件：81.35 Kbytes Page：2 Pages	Highspeedswitchingtransistor [COLLMERSEMICONDUCTOR] Highspeedswitchingtransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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2SC3649S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SC3649S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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