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2SC3651	文件：83.18 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications??????? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • High DC current gain (hFE=500 to 2000). • High breakdown voltage (VCEO≥100V). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). • High VEBO (VEBO≥15V). • Very small size making it easy to provide high-dens 文件：83.18 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3651	文件：50.68 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features ● High DC current gain ● High breakdown voltage ● Low colleotor-to- emitter saturation voltage ● High VEBO (VEBO 15V) ● Very small size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs. 文件：50.68 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3651	文件：112.19 Kbytes Page：3 Pages	High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 文件：112.19 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3651	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3651_1	文件：112.19 Kbytes Page：3 Pages	High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 文件：112.19 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶体管资料

型号：
2SC3651
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_HI_UEB
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3438,2SD968,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>500
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC3651
制造商：
SANYO
功能描述：
mom 100V 0.2A 500 to 2000 PCP Tape & Reel
制造商：
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述：
TRANS NPN 100V 0.2A SOT89
制造商：
Sanyo
功能描述：
0

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