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2SC3709	文件：213.99 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS • Low Collector Saturation Voltage: VCE (sat)= 0.4V (Max.) • High-Speed Switching Time: tstg= 1.0μs (Typ.) • Complementary to 2SA1451A 文件：213.99 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3709	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.4V(Max)@IC= 6A ·Good Linearity of hFE ·High Switching Speed ·Complement to Type 2SA1451 APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications 文件：252.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3709	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC3709A	文件：225.46 Kbytes Page：5 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS High-Current Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (max) • High-speed switching: tstg= 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1451A 文件：225.46 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3709A	文件：148.16 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications 文件：148.16 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3709A	文件：153 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications 文件：153 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3709A_04	文件：148.16 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications 文件：148.16 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3709A-Y	文件：153 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications 文件：153 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3709A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Polarity：NPN\nComplementary Product：2SA1451A\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC 12 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

晶体管资料

型号：
2SC3709
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
90MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3694,2SC4065,2SC4552,2SD1669,2SD1964,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
90000000
atest：
12
wtest：
30

详细参数

型号：
2SC3709
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 50V 12A Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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