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2SC3709A-Y	文件：153 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3709	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.4V(Max)@IC=6A ·GoodLinearityofhFE ·HighSwitchingSpeed ·ComplementtoType2SA1451 APPLICATIONS ·Designedforhighcurrentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3709	文件：213.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.4V(Max.) •High-SpeedSwitchingTime:tstg=1.0μs(Typ.) •Complementaryto2SA1451A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3709A	文件：153 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3709A	文件：148.16 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC3709A	文件：225.46 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS High-CurrentSwitchingApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max) •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1451A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

更多2SC3709A-Y供应商更新时间2025-5-29 19:14:00