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2SC1969	文件：145.11 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) C1969,2SC1969isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonHFbandmobileradioapplications.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
2SC1969	文件：219.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighPowerGain-:Gpe≥12dB,f=27MHz,PO=16W ·HighReliability APPLICATIONS ·Designedfor10~14wattsoutputpowerclassABamplifiersapplicationsinHFband.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1970	文件：219.34 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighPowerGain- :Gpe≥9.2dB,f=175MHz,PO=1W;VCC=13.5V •HighReliability APPLICATIONS •DesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1971	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	Marking：C1971；Package：T-30E；NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
2SC1971	文件：219.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighPowerGain- :Gpe≥10dB,f=175MHz,PO=6W;VCC=13.5V •HighReliability APPLICATIONS •DesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1971	文件：153.08 Kbytes Page：1 Pages	silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1971	文件：63.94 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2SC1971isDesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURESINCLUDE: •ReplacesOriginal2SC1971inMostApplications •HighGainReducesDriveRequirements •EconomicalTO-220CEPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
2SC1971-01	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
2SC1972	文件：130.09 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
2SC1972	文件：63.47 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2SC1972isDesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURESINCLUDE: •ReplacesOriginal2SC1972inMostApplications •HighGainReducesDriveRequirements •EconomicalTO-220CEPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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