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2SC1959	文件：104.56 Kbytes Page：1 Pages	Audio frequency power amplifier Purpose:Audiofrequencypoweramplifier,driverstageamplifierandswitchingapplications. Features: ExcellenthFElinearity 1Wattoutputamplifierapplications,complementarypairwith2SA562TM(3CG562TM).	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC1959	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	Marking：C1959；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ExcellenthFELinearlity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC1959-GR	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	Power Silicon NPN Transistor Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC1959M	文件：662.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features ExcellenthFELinearity,complementarypairwith2SA562M. Applications Audiofrequencylowpoweramplifier,driverstageamplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC1959-O	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	Power Silicon NPN Transistor Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC1959-TA	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	Marking：C1959；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ExcellenthFELinearlity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC1959-Y	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	Power Silicon NPN Transistor Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC1966	文件：133.97 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1966isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonUHFbandmobileradioapplications.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
2SC1967	文件：209.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1967isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonUHFbandmobileradioapplications.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
2SC1968	文件：129.6 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1968isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonUHFbandmobileradioapplications.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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