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2SC1959-TA	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ExcellenthFELinearlity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SC1959	文件：138.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYLOWPOWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERSWITCHINGAPPLICATIONS) AudioFrequencyLowPowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications SwitchingApplications ExcellenthFElinearity:hFE(2)=25(min):VCE=6V,IC=400mA 1wattamplifierapplications. *Complementaryto2SA562TM.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC1959	文件：319.24 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC1959	文件：59.47 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tstg:-55℃to+150℃ TJ:150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SC1959	文件：214.78 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencylow-poweramplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
2SC1959	文件：84.14 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●HighTransitionFrequency	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SC1959	文件：50.59 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SC1959isdesignedforaudiofrequencyLowpoweramplifierapplications. Features •ExcellenthFELinearity.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
2SC1959	文件：359.78 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ExcellenthFElinearlity	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.
2SC1959	文件：949.41 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features ExcellenthFElinearity1Wattoutputamplifierapplications,complementarypairwith2SA562TM. Applications Audiofrequencypoweramplifier,driverstageamplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SC1959	文件：664.69 Kbytes Page：3 Pages	TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●HighTransitionFrequency	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SC1959	文件：104.56 Kbytes Page：1 Pages	Audiofrequencypoweramplifier Purpose:Audiofrequencypoweramplifier,driverstageamplifierandswitchingapplications. Features: ExcellenthFElinearity 1Wattoutputamplifierapplications,complementarypairwith2SA562TM(3CG562TM).	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SC1959	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ExcellenthFELinearlity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SC1959-GR	文件：363.22 Kbytes Page：3 Pages	PowerSiliconNPNTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC1959-GR	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	PowerSiliconNPNTransistor Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC1959M	文件：662.94 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features ExcellenthFELinearity,complementarypairwith2SA562M. Applications Audiofrequencylowpoweramplifier,driverstageamplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SC1959-O	文件：363.22 Kbytes Page：3 Pages	PowerSiliconNPNTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC1959-O	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	PowerSiliconNPNTransistor Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC1959-Y	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	PowerSiliconNPNTransistor Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC1959-Y	文件：363.22 Kbytes Page：3 Pages	PowerSiliconNPNTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
ST2SC1959	文件：128.889 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitching,driverstageandaudiofrequencylow poweramplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinc	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市力拓辉电子有限公司	2SC1959-TA_120-240_TO-92	长晶科技	21+	TO-92	20	全新原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市瑞智芯科技有限公司	2SC1959-TA_120-240_TO-92	长晶科技	20+	TO-92	20	只做原装	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2SC1959Y	TOS	98		28700		询价
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深圳兆威电子有限公司	2SC1959Y	CJ/长电	23+	TO-92	90000	原装原盘	询价
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深圳廊盛科技有限公司	2SC1959Y	TOSHIBA/东芝	22+	TO-92	50000	原装正品.假一罚十	询价

更多2SC1959-TA供应商更新时间2024-4-28 10:02:00

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